电子发烧友

型号：Qorvo <b class='flag-s-7'>SiC</b> E1B模块 品牌：

极驱动器，支持与Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件兼容的单极栅极驱动器。该器件采用E1B模块封装，具有超低栅极电荷和出色的开关特性，非常

2024-02-26 14:00 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>功率</b><b class='flag-s-7'>器件</b>失效根因分析 品牌：广电计量

服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块检测标准l  GJB548B-2005微电子器件试验

2024-01-29 22:40 广电计量 企业号

型号：AQG324<b class='flag-s-7'>功率</b><b class='flag-s-7'>器件</b>试验认证 品牌：广电计量

服务范围功率器件模块及基于分⽴器件的等效特殊设计产品检测标准l  DINENISO/IEC17025：General Requirements for the Competenceof

2024-03-13 16:31 广电计量 企业号

型号：HUSTEC-1600A-MT 品牌：

于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管MOS管等器件的 V-I

2024-05-15 17:55 hustec 企业号

型号：C-V<b class='flag-s-7'>特性</b>测试系统 品牌：

C-V特性），C-V 曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。 ●&nbs

2024-06-05 11:16 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号

型号：UF3C170400K3S 品牌：

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结

2023-05-12 14:20 立年电子科技 企业号

型号：UF3C120080B7S 品牌：

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结

2023-05-12 11:54 立年电子科技 企业号

型号：UF3C065080B3 品牌：

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结

2023-05-11 20:28 立年电子科技 企业号

型号：率<b class='flag-s-7'>器件</b>失效根因分析 品牌：广电计量

基本介绍功率器件可靠性是器件厂商和应用方除性能参数外最为关注的，也是特性参数测试无法评估的，失效分析则是分析器件封装缺陷

2024-03-13 16:26 广电计量 企业号

型号：UF3SC120016K4S 品牌：

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结

2023-05-12 14:59 立年电子科技 企业号