载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外，带隙较宽，是Si的3倍，因此SiC
2019-07-23 04:20
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC
2018-11-29 14:35
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的
2019-05-07 06:21
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与
2019-05-07 06:21
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个
2019-05-06 09:15
，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件。②SiC功率元器件SiC是在热、化学、机械方面都非常稳
2017-07-22 14:12
虽然电动和混合动力电动汽车（EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级
2019-08-11 15:46
的量产化，并于 2010 年全球首家成功实现了 SiC-MOSFET 的量产。罗姆希望通过本次研讨会，让更多同行了解 SiC 的优点和特性，更好地应用 SiC
2018-07-27 17:20
半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半导体
2018-11-29 14:39
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的
2019-04-22 06:20
