前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC
2023-02-22 09:15
本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN
2025-05-15 15:28
碳化硅（SiC）功率元器件是一种半导体器件，具有许多独特的特性，使其在高性能电力电子应用中具有优势。以下是
2024-02-04 16:25
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器
2018-07-15 11:05
SiC(碳化硅)功率器件正逐渐成为现代电力电子系统中的重要技术，其相较于传统的硅(Si)器件，特别是在高功率、高效率和高
2024-12-05 15:07
如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-18 15:40
引言SiC功率器件已经成为高效率、高电压及高频率的功率转换应用中Si功率器件
2018-03-20 11:43
双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包
2022-10-12 15:32
汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的
2024-10-16 11:36
DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，提供非常高的测量精度和丰富的连接方式，是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。
2022-11-03 17:47
