碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高
2023-04-13 11:01
载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外，带隙较宽，是Si的3倍，因此SiC
2019-07-23 04:20
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与
2019-05-07 06:21
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的
2019-05-07 06:21
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC
2018-11-29 14:35
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个
2019-05-06 09:15
，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件。②SiC功率元器件SiC是在热、化学、机械方面都非常稳
2017-07-22 14:12
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC
2023-02-22 09:15
在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型
2022-11-22 09:59
近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统
2022-11-24 10:05
