使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率
2022-11-11 11:06
SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对
2023-02-09 11:50
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元
2023-02-22 09:15
近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了
2022-11-24 10:05
在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型
2022-11-22 09:59
SiC（碳化硅）功率器件是一种基于碳化硅材料制造的功率半导体器件，它是继硅（Si）和氮化镓（GaN）之后的第三代半导体材
2024-09-10 15:15
碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，
2023-04-13 11:01
SiC功率器件的封装技术要点 具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。
2009-11-19 08:48
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器
2018-07-15 11:05
