(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一
2017-06-16 10:37
**1、半导体死区电压概念**首先我们先从半导体开始了解下，半导体的死区电压概念：死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合
2021-09-03 07:21
功率半导体基本开关原理
2011-05-03 22:07
功率半导体器件概述功率半导体器件基本概念功率
2019-02-26 17:04
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比
2021-07-12 07:49
功率半导体的工作原理.资料来自网络资源分享
2021-08-06 22:54
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07
功率半导体器件应用手册功率半导体器件应用手册——弯脚及焊接应注意的问题本文将向您介绍大家最关心的有关TSE功率
2008-08-12 08:46
