前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元
2023-02-22 09:15
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器
2018-07-15 11:05
SiC(碳化硅)功率器件正逐渐成为现代电力电子系统中的重要技术，其相较于传统的硅(Si)器件，特别是在高功率、高效率和高
2024-12-05 15:07
碳化硅（SiC）功率元器件是一种半导体器件，具有许多独特的特性，使其在高性能电力电子应用中具有优势。以下是SiC
2024-02-04 16:25
引言SiC功率器件已经成为高效率、高电压及高频率的功率转换应用中Si功率器件
2018-03-20 11:43
汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的
2024-10-16 11:36
本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC
2025-05-15 15:28
本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器
2018-05-28 15:33
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的
2022-10-31 09:03
控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44
