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型号：<b class='flag-s-7'>SI4435</b>DY-T1-E3-VB 品牌：微碧

SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；门源

2023-12-13 10:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SI4435</b>BDY-T1-E3-VB 品牌：微碧

**产品型号：** SI4435BDY-T1-E3-VB**丝印：** VBA2317**品牌：** VBsemi**参数：**- 封装：SOP8- 沟道类型：P—Channel- 额定电压

2024-02-19 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SI4435</b>DDY-T1-E3-VB 品牌：微碧

型号：SI4435DDY-T1-E3-VB丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-30V- 额定电流：-7A- 开通电阻（RDS(ON)）：23m

2023-12-19 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>4435</b>C 品牌：

供应AP4435C -30v的耐压p型mos管丝印:4435，铨力MOS管广泛应用于汽车电子、BMS、PD电源、工业、SMPS、 DC-DC、电动工具、储能、小家电、BMS、车载充电、EV

2023-08-22 17:24 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>4435</b>GH-VB 品牌：微碧

### 一、4435GH-VB TO252 产品简介4435GH-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压（VDS），并具有 ±20V 的栅极

2024-11-08 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AO<b class='flag-s-7'>4435</b> 品牌：芯驿电子

AO4435-P沟道MOS管（-30V -10.5A）

2022-05-18 11:49 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>4435</b>GJ-VB 品牌：微碧

**AP4435GJ-VB 详细参数说明和应用简介：****参数说明：**- 封装：TO251- 沟道类型：P-Channel- 额定电压（VDS）：-30V- 额定电流（ID）：-35A- RDS

2024-02-19 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>4435</b>GJ-VB 品牌：微碧

### 4435GJ-VB TO251 MOSFET 产品简介4435GJ-VB 是一款单通道 P 沟道场效应管，采用 TO251 封装，适用于各种电子应用中的高效能管理。具有高可靠性和优异的热性

2024-11-08 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HN<b class='flag-s-7'>4435</b> 品牌：

深圳市三佛科技有限公司 供应 30V  SOP8 P沟道MOS管-30V -9.1A MOS管HN4435，原装，库存现货热销HN4435   参数：  -30V

2022-11-29 11:25 深圳市三佛科技 企业号

型号：CEM<b class='flag-s-7'>4435</b>-VB 品牌：微碧

型号 CEM4435丝印 VBA2317品牌 VBsemi参数  频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A RDS(ON) 23mΩ @ 10V，29mΩ @ 4.5V，66m

2023-10-30 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号