的AC/DC转换和功率转换为目的的二极管和MOSFET，以及作为电源输出段的功率模块等来分类等等。在这里，分以下二个方面进行阐述：一是以传统的硅半导体为基础的“硅（Si）功率
2018-11-28 14:34
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制
2019-07-23 04:20
的AC/DC转换和功率转换为目的的二极管和MOSFET，以及作为电源输出段的功率模块等来分类等等。在这里，分以下二个方面进行阐述：一是以传统的硅半导体为基础的“硅（Si）功率
2018-11-29 14:39
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si
2018-11-29 14:35
”是条必经之路。高效率、高性能的功率元器件的更新换代已经迫在眉睫。“功率元器件”广泛分以下两大类：一是以传统的硅半导体为基础的“硅（
2017-07-22 14:12
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-05-07 06:21
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15
VNA是如何测量高速器件的信号完整性（SI）？
2021-05-11 06:49
前言在功率元器件的发展中，主要半导体材料当然还是Si。同样在以Si为主体的LSI世界里，在"将基本元件晶体管的尺寸缩小到1/k，同时将电压也降低到1/k，力争
2019-07-08 06:09
