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在60V-200V中压功率控制场景中，如工业电机驱动、新能源储能、大功率电源等领域，对MOSFET的电流承载能力、导通损耗与封装适配性提出了严苛要求。中科微电推出的N沟道MOSFET

2025-11-04 15:20 中科微电半导体 企业号

在工业控制、新能源发电、电力电子等高压大电流应用场景中，MOSFET的性能直接决定了整个系统的效率、可靠性与功率密度。ZK150G002TP作为一款搭载屏蔽栅（SGT）技术的N沟道MOSFET，以

2025-10-31 11:03 中科微电半导体 企业号

中科微电研发的N沟道MOSFET ZK150G09T，以150V耐压、90A连续电流、TO-252-2L薄型封装及SGT（屏蔽栅沟槽）工艺为核心特征，精准匹配中压场景的小型化与高效化诉求，其技术设计与应用表现，为理解中压小封装功率器件的发展逻辑提供了典型范例。

2025-11-04 16:20 中科微电半导体 企业号

150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）相对上一代降低43.8%，具备更高的电流密度和功率密度。同时，二极管

2024-08-15 16:36

在功率电子领域，“适配性”与“可靠性”是器件立足市场的核心。中科微电推出的ZK100G08PN沟道MOSFET，以100V耐压、88A连续漏极电流为性能基底，融合SGT（超结沟槽栅）先进工艺与经典

2025-10-21 11:38 中科微电半导体 企业号

在中小型功率电子设备朝着“小型化、低功耗、高可靠性”升级的进程中，MOSFET作为电能控制的核心器件，其性能与尺寸的平衡成为设计关键。中科微电推出的ZK100G08TN沟道MOSFET，以100V

2025-10-21 10:54 中科微电半导体 企业号

在60V-200V中压功率电子领域，无论是工业自动化中的电机驱动，还是新能源场景下的储能变流，都对MOSFET提出了“大电流承载、低能量损耗、小封装适配”的三重诉求。中科微电研发的N沟道MOSFET

2025-11-04 16:00 中科微电半导体 企业号

针对电控系统中分立器件的需求，上海贝岭研制了基于电荷平衡原理的Split-Gate Trench MOS(简称SGT)，全面优化了器件的开关特性和导通特性，为客户的应用方案带来高效率和稳定性的同时

2022-03-20 14:43

中科微电ZK150G09P以SGT工艺为核心，通过低损耗、高可靠、易集成的特性组合，为中大功率电子设备提供了高性能的国产解决方案。从工业电机的高效驱动到储能系统的安全防护，该器件不仅彰显了中国功率

2025-10-14 16:53 中科微电半导体 企业号

R&S®SGT100A是罗德与施瓦茨公司推出的高性能紧凑型矢量信号发生器，专为生产测试和自动化应用设计，集快速响应、卓越信号质量和紧凑设计于一体，是1 HU (1.75 英寸高)、半 19 英寸宽度的最小独立式矢量信号发生器，内置基带发生器，无需额外设备即可生成复杂调制信号

2025-12-07 15:09 启航电子仪器 企业号