在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14
SGT03U13 - Unidirectional Transient - GE Solid State
2022-11-04 17:22
SGT06U13 - Unidirectional Transient - GE Solid State
2022-11-04 17:22
记得作者2002年做研发的时候，在热插拨的应用中就开始关注到这个问题，那时候很难找到相关的资料，最后在功率MOSFET的数据表中根据相关的图表找到导通电阻RDS(ON)的这个违背常理的特性，然后
2016-09-26 15:28
SGT965360 - Three Phase Solid State Relays - celduc-relais
2022-11-04 17:22
SGT0720SBT - Silicon Protection Circuits - Surface Mount SurgectorTM Transient Voltage Suppressors - Littelfuse
2022-11-04 17:22
SGT944360 - Three Phase Solid State Relays - celduc-relais
2022-11-04 17:22
SGT962360 - Three Phase Solid State Relays - celduc-relais
2022-11-04 17:22
SGT364350A - Three Phase Solid State Relays - celduc-relais
2022-11-04 17:22
，二边的P区中间夹着一个N区，由于二个P区在外面通过S极连在一起，因此，这个结构形成了标准的JFET结构。 4 隔离栅SGT场效应晶体管 功率MOSFET的导通电阻Rds(on)和寄生的电容是一个相互
2016-10-10 10:58
