电子发烧友

针对电控系统中分立器件的需求，上海贝岭研制了基于电荷平衡原理的Split-Gate Trench MOS(简称SGT)，全面优化了器件的开关特性和导通特性，为客户的应用方案带来高效率和稳定性的同时

2022-03-20 14:43

中科微电ZK150G09P以SGT工艺为核心，通过低损耗、高可靠、易集成的特性组合，为中大功率电子设备提供了高性能的国产解决方案。从工业电机的高效驱动到储能系统的安全防护，该器件不仅彰显了中国功率

2025-10-14 16:53 中科微电半导体 企业号

R&S®SGT100A是罗德与施瓦茨公司推出的高性能紧凑型矢量信号发生器，专为生产测试和自动化应用设计，集快速响应、卓越信号质量和紧凑设计于一体，是1 HU (1.75 英寸高)、半 19 英寸宽度的最小独立式矢量信号发生器，内置基带发生器，无需额外设备即可生成复杂调制信号

2025-12-07 15:09 启航电子仪器 企业号

在功率电子领域，“适配性”与“可靠性”是器件立足市场的核心。中科微电推出的ZK100G08PN沟道MOSFET，以100V耐压、88A连续漏极电流为性能基底，融合SGT（超结沟槽栅）先进工艺与经典

2025-10-21 11:38 中科微电半导体 企业号

150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）相对上一代降低43.8%，具备更高的电流密度和功率密度。同时，二极管

2024-08-15 16:36

ZK150G002B，以150V耐压、200A电流、TO-220封装及SGT（屏蔽栅沟槽）工艺为核心标签，构建起“高压耐受、大流低耗”的性能特征，成为中压大电流场景下功率控制的

2025-11-04 15:20 中科微电半导体 企业号

中科微电深耕功率半导体领域11年，依托深厚的技术积淀与项目经验，推出的ZK200G120P N 沟道MOS管，以200V耐压、129A大电流、SGT屏蔽栅工艺及TO-220封装的黄金组合，不仅打破了传统器件在高功率场景下的性能瓶颈，更重新定义了中高压MOS管的应用标准，成为多领域设备升级的关键选择。

2025-10-25 11:10 中科微电半导体 企业号

ZK150G130B，以150V耐压、132A连续电流、TO-263-2L薄型封装及SGT（屏蔽栅沟槽）工艺为核心特征，精准匹配中压场景的性能痛点，其技术设计与

2025-11-04 16:00 中科微电半导体 企业号

中科微电研发的N沟道MOSFET ZK150G09T，以150V耐压、90A连续电流、TO-252-2L薄型封装及SGT（屏蔽栅沟槽）工艺为核心特征，精准匹配中压场景的小型化与高效化诉求，其技术设计与应用表现，为理解中压小封装功率器件的发展逻辑提供了典型范例。

2025-11-04 16:20 中科微电半导体 企业号

ZK60G120T以60V额定电压、120A额定电流的硬核性能为基底，融合屏蔽栅（SGT）核心技术与PDFN5x6-8L超薄封装，构建起“高性能+小体积”的双重优势，成为中低压大电流领域的新一代标杆。

2025-10-31 14:47 中科微电半导体 企业号