上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极
2025-01-03 10:19
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近几年第三代半导体在功率器件上发光发热，低压消费应用上GaN器件统治充电头市场，新能源汽车高压平台上SiC器件逐渐成为标配。在硅基
2024-08-02 00:13
SGT MOSFE是一种新型的功率半导体器件，具有传统深沟槽MOSFE的低导通损耗的优点，同时具有更加低的开关损耗。SGT MOSFE作为开关
2020-12-25 14:02
产品特点 1、优异的开关特性和导通特性； 2、更好的导通电阻温度特性，显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性； 3、配合先进的封装技术，SGT MOSFET器件
2020-11-26 14:54
SGT MOSFET，即屏蔽栅沟槽MOSFET，是一种先进的功率半导体器件。这种技术改变了MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场进一步的变更为类似压缩的梯形电场，可以进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rd
2025-01-22 13:55
作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持续创新，正式推出第三代SGT
2025-06-11 08:59
扬杰科技于2024年推出了一系列用于汽车电子的N60V SGT MOSFET，产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，可以支持更高频率与动态响应。
2025-04-01 10:39
uSGT MOSFET的市场前景 SGT-MOS的全称是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET。SGT-MOS严格意义上来说，在工艺上并没有
2024-11-08 10:36
由世纪电源网主办的“第三届电源行业配套品牌颁奖晚会”将于2024年12月07日在深圳隆重举办。安森美（onsemi）凭借领先的功率器件入围国际功率器件行业卓越奖、
2024-11-08 09:32
、功率密度和降低系统成本双重挑战的完美解决方案。这些产品不仅提高了电源系统的性能，还降低了设计难度和成本，是电源设计领域中的优选器件。
2024-11-30 09:18
