我最近在做SRAM的仿真模拟，用的是Sentaurus TCAD套件中的Sprocess，进行工艺仿真。但是一直遇到一样的问题，仿真跑到一半就自动停止了，并提示了如下错误：Error: Child
2020-11-18 17:40
想请问一下大佬们，在sentaurs TCAD中sdevice部分的parameter 文件中设置一个在原来系统中没有的材料要怎么做呀？就是在知道这个材料性质的情况下，我们要如何设置这个材料呢？
2022-04-19 23:22
2021-11-18 17:06
EDA领域旗舰会议和期刊最佳论文奖（包括DAC 2019、TCAD 2021、DATE 2022）。曾担任包括DAC、ICCAD等领域内旗舰会议的技术程序委员会成员，以及领域内顶级期刊如TCAD
2023-01-17 16:56
如题
2022-03-22 17:34
下载链接http://pan.baidu.com/s/1bnB4B1P
2014-12-24 09:52
本人刚开始接触这里面的晶粒变化，十分的懵懂，想请教一下各位懂的大佬，如果有会的大佬看见了，可以稍微提携一下小弟，十分感谢！
2021-10-28 21:53
【作者】：张科营;郭红霞;罗尹虹;何宝平;姚志斌;张凤祁;王园明;【来源】：《原子能科学技术》2010年02期【摘要】：采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种
2010-04-22 11:50
半导体器件物理，熟悉微波工程相关知识；3. 熟悉半导体制造工艺及其工艺流程的整合；4. 掌握半导体器件模拟软件，如Sentaurus, Silvaco等TCAD工具；5. 熟悉射频功率放大器内匹配
2018-01-09 15:12
器件静电鲁棒性提高的主要障碍。1. 单指器件静电泄放电流非均匀分布的TCAD仿真对单指nLDMOS器件建模，对器件进行瞬态仿真。如图1、图2所示为器件在静电泄放不同的时刻，器件剖面的电流密度分布，证明了
2016-03-03 17:54
