SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 270 W;48V;2620 – 2690 兆赫GTVA262701FA 是一款 270 瓦 GaN on SiC 高电子迁移率晶体管
2023-08-02 15:36 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
                                                                                                
                                                                    SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 300 W;48V;2620 – 2690 兆赫GTVA262711FA 是一款 300 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率
2023-08-02 16:06 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
                                                                                                
                                                                    --- 产品详情 ---深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。AH1812-FA-7 由于电子元器件价格因市场浮动,网站展示价格仅为参考价,不能作为最后成交价
2022-07-15 17:48 深圳市港禾科技有限公司 企业号
                                                                                                
                                                                    SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 270 W;48V;2110 – 2200 兆赫GTVA212701FA 是一款 270 瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于
2023-08-02 16:13 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
                                                                                                
                                                                    SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 170 W;50V;2.62 - 2.69 吉赫GTVA261701FA 是一款 170 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管
2023-08-02 14:45 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号