58mΩ。该器件适用于各种低压功率控制和开关应用,尤其适用于需要低导通电阻和高效能的场合。详细参数说明:- 品牌:VBsemi- 型号:FL9014-VB- 丝印
2024-05-31 17:46 微碧半导体VBsemi 企业号
IRFL9014TRPBF (VBJ2658)参数说明:P沟道,-60V,-6.5A,导通电阻58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),可调阈值电压范围-1~-3V,封装
2023-12-08 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi P-Channel MOSFET SIHFL9014T-E3-VB**- **丝印:** VBJ2658- **品牌:** VBsemi- **参数:** - P
2024-06-14 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介:**SFM9014-NL-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管,具有单个P沟道。该晶体管适用于低功率电子应用,采用SOT223封装,具有良好的热特性。具有-60V的漏极-源极电压
2024-06-14 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
了Trench技术,具有低导通电阻和优秀的开关特性,能够在高频率和高效率要求下工作稳定。### 76139S-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**:TO
2024-11-20 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
了Trench技术,具有低导通电阻和优秀的开关特性,能够在高频率和高效率要求下工作稳定。### 76432S-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**:TO
2024-11-20 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
了Trench工艺,具有低导通电阻和良好的开关特性,适合要求高效能量转换和快速开关的场合。### 75329S-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**:TO2
2024-11-19 14:15 微碧半导体VBsemi 企业号
),以及13A的漏极电流(ID)。4172S-VB采用沟槽技术,提供高性能和可靠性。### 二、4172S-VB 详细参数说明| 参数
2024-11-08 11:51 微碧半导体VBsemi 企业号
ME2307S-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介:- **型号:** ME2307S-VB- **丝印
2024-04-01 15:38 微碧半导体VBsemi 企业号
**QM4305S-VB 详细参数说明**- **型号**:QM4305S-VB- **丝印**:VBA5415- **品牌**:VBsemi- **参数**:&nbs
2024-04-03 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号