CLF3H0060S-10 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管,可在 DC
2024-02-29 20:35 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
CLF3H0035S-100 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、无与伦比的宽带 GaN HEMT 晶体管
2024-02-29 20:31 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
CLF3H0060S-30 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管
2024-02-29 20:30 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
11304-3S 是一款由 TTM Technologies(原 Anaren)生产的低剖面 3dB 混合耦合器,采用表面贴装封装,适用于 500 MHz - 1 GHz 频段的射频
2025-05-28 14:25 深圳市立维创展科技有限公司 企业号
11306-3S 是一款由 TTM Technologies(原 Anaren)生产的低剖面 3dB 混合耦合器,采用表面贴装封装,适用于 2.0 GHz - 4.0 GHz 频段的射频
2025-05-28 14:40 深圳市立维创展科技有限公司 企业号
11305-3S 是一款由 TTM Technologies(原 Anaren)生产的低剖面 3dB 混合耦合器,采用表面贴装封装,适用于 1.0 GHz - 2.0 GHz 频段的射频
2025-05-28 14:35 深圳市立维创展科技有限公司 企业号