Qorvo 的 UF3C120400B7S SiC FET 器件基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准
2023-05-11 15:28 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TC58NVG0S3HTA00：高性能NAND闪存的选择在现代电子设备中，存储器的性能直接影响到设备的整体表现。今天，我们将重点介绍一种高性能的NAND闪存——TC58NVG0S3HTA00。这款
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Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常
2023-05-11 15:00 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Qorvo 的 UF3C065080B7S 650 V、85 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生
2023-05-11 14:42 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Qorvo 的 UF3C170400B7S SiC FET 器件基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准
2023-05-11 15:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Qorvo 的 UF3C120150B7S 1200 V、150 mohm SiC FET 器件基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以
2023-05-11 15:18 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
