TTM Technologies 的 A1101R08C 是一款射频模块,频率为 868 至 870 MHz,电源电压为 1.8 至 3.6 V,接收电流为 15 mA,睡眠电流为
2023-08-17 11:23 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
阻(RDS(ON))在VGS=10V时为5mΩ,具有75A的漏极电流(ID)和3V的阈值电压(Vth)。### 参数说明- **型号**: 135N08N-VB-
2024-07-05 17:45 微碧半导体VBsemi 企业号
;R_BIAS端口通过外部决定偏置电流电阻器值。偏置电流影响系统振荡器频率和感应频率电流消耗。TS08N可以在低电压电源下工作。电源电压范围为1.8V至5.5V。TS08N
2024-03-20 15:08 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
通电阻(RDS(ON))为5mΩ,最大漏极电流(ID)为75A。这款MOSFET采用槽沟技术制造。以下是关于096N08N-VB的详细参数说明:- **封装类型(P
2024-07-04 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号