(*WriteoneMemory)(void*);void (*ReadMemory)(void*);void (*WriteMultiMemory)(void*);void (*SendStart)(void
2018-08-20 07:03
：-9 STM_ReadMemory 写入出错在4KB,进度15%,耗时25985毫秒4、解决方法将波特率设置为4800，烧录成功...
2022-02-10 06:21
：-9 STM_ReadMemory 写入出错在4KB进度15%耗时25985毫秒4、解决方法将波特率设置为4800，烧录成功...
2021-12-06 17:36
PID：00000450 芯片已设置读保护 第828毫秒，已准备好 开始编程芯片，共需写入14KB,耗时828毫秒 调试信息：32readbytescount 64len 调试信息：-9 STM_ReadMemory 写入出错在0KB,进度0%,耗时1453毫秒
2024-03-15 06:07
芯片PID：00000450 芯片已设置读保护 第828毫秒，已准备好 开始编程芯片，共需写入14KB,耗时828毫秒 调试信息：32readbytescount 64len 调试信息：-9 STM_ReadMemory 写入出错在0KB,进度0%,耗时1453毫秒
2023-08-05 07:07
start--------------------\\n";if (0x0000AA00 != (0x0000FF00 & __readMemory32(0x40023C14
2022-11-15 11:03
;*******************************************/unsigned char DS2431_ReadMemory( unsigned char tgaddr, unsigned char len, unsigned char * buffer
2014-03-12 11:04
