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型号： PE2-4020-<b class='flag-s-7'>9R510R7-2R</b>5-12-12-SF 品牌：

  PE2-4020-9R510R7-2R5-12-12-SFF-VVG PMI 型号 PE2-4020-9R510R7-2R5-12-12-SFF-VVG 是一款电压

2024-10-17 10:40 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：STM32L4<b class='flag-s-7'>R9</b>I-EVAL 品牌：

STM32L4R9I-EVAL开发板介绍STM32L4R9I-EVAL开发板是STMicroelectronics推出的一款高性能评估板，基于STM32L4系列微控制器，特别适合低功耗应用和物联网

2024-10-07 17:41 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：PLNA-33-812-0<b class='flag-s-7'>R9</b>-10DBM-SFF 品牌：

   PLNA-33-812-0R9-10DBM-SFF低噪声放大器 Quantic PMI 型号 PLNA-33-812-0R9-10DBM-SFF 是一款

2024-10-28 17:18 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9R</b>340C-VB TO220F 品牌：微碧

### 9R340C-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9R340C-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，专为中高压应用设计，具备900V的漏源极电压额定值。采用TO220F封装

2024-11-27 13:46 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：PTB-30-7G<b class='flag-s-7'>9G-5R</b>0-20-120-240-VAC 品牌：

    PTB-30-7G9G-5R0-20-120-240-VAC-SFF 便携式扩音器  PMI

2024-10-28 14:49 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9R</b>1K0C-VB TO220 品牌：微碧

### 产品简介**型号：9R1K0C-VB**9R1K0C-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有高达900V的漏源电压额定值，适合要求较高电压处理能力

2024-11-27 11:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9R</b>800C-VB TO220 品牌：微碧

### 9R800C-VB MOSFET 产品简介9R800C-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 TO220 封装。它支持高达 900V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压

2024-11-27 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9R</b>500C-VB TO220 品牌：微碧

### 产品简介**9R500C-VB**是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220封装。它具备极高的漏极-源极电压和低导通电阻特性，适合要求高电压和中功率处理的应用场合。采用

2024-11-27 13:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9R</b>340C-VB TO263 品牌：微碧

### 产品简介**型号：9R340C-VB**9R340C-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有高达900V的漏源电压额定值，适合要求较高电压处理能力

2024-11-27 13:50 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9R</b>800C-VB TO220F 品牌：微碧

### 产品简介详**9R800C-VB MOSFET**9R800C-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO-220F封装，适用于需要高电压耐受和中等电流处理能力的应用场合。采用

2024-11-27 14:00 微碧半导体VBsemi 企业号