电子发烧友

型号：NCE<b class='flag-s-7'>4435</b> 品牌：

新洁能NCE4435 NCE P通道增强模式电源MOSFET SOP8新洁能NCE4435，这款卓越的P通道增强模式电源MOSFET，采用前沿的沟槽技术，使你体验到极致的 RDS

2023-10-26 21:08 民信微电子 企业号

型号：FDS<b class='flag-s-7'>4435</b>BZ 品牌：

FDS4435BZP 沟道 PowerTrench® MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）-30V，-8.8A，20 毫欧特性当 = -10V， = -8.8A 时，最大导通电阻为

2025-02-28 14:32 深圳市点面线科技有限公司 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>4435</b>GJ-VB 品牌：微碧

**AP4435GJ-VB 详细参数说明和应用简介：****参数说明：**- 封装：TO251- 沟道类型：P-Channel- 额定电压（VDS）：-30V- 额定电流（ID）：-35A- RDS

2024-02-19 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>4435</b>GJ-VB 品牌：微碧

### 4435GJ-VB TO251 MOSFET 产品简介4435GJ-VB 是一款单通道 P 沟道场效应管，采用 TO251 封装，适用于各种电子应用中的高效能管理。具有高可靠性和优异的热性

2024-11-08 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HN<b class='flag-s-7'>4435</b> 品牌：

深圳市三佛科技有限公司 供应 30V  SOP8 P沟道MOS管-30V -9.1A MOS管HN4435，原装，库存现货热销HN4435   参数：  -30V

2022-11-29 11:25 深圳市三佛科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>4435</b>GH-VB 品牌：微碧

### 一、4435GH-VB TO252 产品简介4435GH-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压（VDS），并具有 ±20V 的栅极

2024-11-08 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AO<b class='flag-s-7'>4435</b> 品牌：芯驿电子

AO4435-P沟道MOS管（-30V -10.5A）

2022-05-18 11:49 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号

型号：CEM<b class='flag-s-7'>4435</b>-VB 品牌：微碧

型号 CEM4435丝印 VBA2317品牌 VBsemi参数  频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A RDS(ON) 23mΩ @ 10V，29mΩ @ 4.5V，66m

2023-10-30 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号