然而，这一假设在机器人部署中通常是难以满足的，因为算法本身的延迟在机器人硬件上不可忽视，当算法完成当前帧时，世界已经发生了变化，导致跟踪器输出的结果与实际世界的目标当前状态不匹配。
2023-07-19 16:06
但实际芯片的PVT永远不会落在一个点上，而是一个范围；比如说有时序关系的几个cell，可能这几个cell的PVT是1.18V，20℃，工艺0.98。而那个cell的PVT是1.21V，35℃，工艺1.01。这些cel
2018-06-25 14:19
高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键，目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。
2024-11-14 14:51
微管是SiC晶体中极为有害的缺陷，哪怕数量极少，也会对SiC器件的性能产生毁灭性打击。在传统物理气相传输法（PVT）生长SiC单晶时，微管极易形成，并且籽晶或衬底里原有的微管还会在后续生长中不断延伸，使得晶体质量难以提升。
2025-04-24 11:07
长期以来，半导体一直根据最坏情况的工艺、电压和温度（PVT）进行指定。在设计阶段，设计人员必须平衡性能与功耗和面积（PPA），努力实现所需的每瓦性能目标。为了评估可变性对电路性能的影响，设计人员采用
2023-05-24 16:37
漂移速度都是一样的，随着电压、温度不同，它们的特性也会不同，把他们分类就有了PVT（Process，Voltage，Temperature），而Process又分为不同的corner：TT
2023-12-01 13:31
设计要运行几天甚至几周的时间；其次是仿真容量巨大，已经超出了传统仿真工具的处理能力；再加上PVT 工艺角数目越来越多，无法得到全面、准确的验证，大大增加了设计风险。
2020-05-18 18:05
和Si晶体拉晶工艺类似，PVT法制备SiC单晶和切片形成晶圆过程中也会引入多种缺陷。这些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能级的点缺陷；位错；堆垛层错；以及碳包裹体和六方空洞等。其中和和Si晶体拉晶工艺
2023-12-26 17:18
使用物理气相传输法（PVT）制备出直径 209 mm 的 4H-SiC 单晶，并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸 SiC 单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨 X-射线衍射仪
2022-12-20 11:35
，SiC衬底材料的应用前景再次受到广泛关注。SiC单晶采用物理气相传输（PVT）方法制备，6英寸产品投入市场，厚度约为10–30mm。相比之下，经过几十年的发展，现代电子信息产业的基石材料单晶硅（Si
2023-12-20 13:46
