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型号：08<b class='flag-s-7'>P06P</b>-VB 品牌：微碧

### 08P06P-VB 产品简介：08P06P-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET，封装为 TO252。该器件具有 -60V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的栅极-源极电压（VGS

2024-07-04 13:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>P</b>10SMB SERIES 品牌：江苏芯格诺

系列型号：P10SMB6.8A、P10SMB7.5A、P10SMB8.2A、P10SMB9.1A、P10SMB10A、

2022-07-26 11:07 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：204<b class='flag-s-7'>P</b>-VB 品牌：微碧

### 204P-VB 产品简介204P-VB 是一种先进的双 P-沟道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 SOP8。它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于多种电源管理

2024-07-09 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>P36P</b>04S-E-VB 品牌：微碧

**型号：** P36P04S-E-VB  **丝印：** VBE2412  **品牌：** VBsemi  **产品简介：**  P36P

2024-06-12 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>P13P</b>10ZA-VB 品牌：微碧

### 产品简介P13P10ZA-VB是一款高性能P通道MOSFET，采用TO252封装，专为低压高效应用设计。其最大漏极源极电压可达-100V，适用于各种需要高电流和快速开关能力的电力电子设备

2025-10-16 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：UTT50<b class='flag-s-7'>P</b>10 品牌：

UTT50P10 100v p型mos特点* VDS= -100V* ID = -50A* RDS(ON) ≤ 60 mΩ @ VGS= -10V, ID= -20A* High Switching

2022-03-30 15:13 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>P0080EA-P</b>5000EA 品牌：优恩

P0080EA - P5000EA系列设计用于保护宽带设备，如调制解调器、线路卡、CPE和DSL。诸如调制解调器、线路卡、CPE和DSL等设备免受过电压的损害。破坏性的过电压瞬变。该系列提供了一个

2023-04-19 11:20 深圳市优恩半导体有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>P</b>6SMB SERIES 品牌：江苏芯格诺

系列型号：P6SMB6.8A、P6SMB7.5A、P6SMB8.2A、P6SMB9.1A、P6SMB10A、

2022-07-26 10:54 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>P</b>6SMA SERIES 品牌：江苏芯格诺

系列型号：P6SMA6.8A、P6SMA7.5A、P6SMA8.2A、P6SMA9.1A、P6SMA10A、

2022-07-26 10:31 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：AM90<b class='flag-s-7'>P15-60P</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**型号：AM90P15-60P-VB**AM90P15-60P-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，封装形式为 TO220。它具有负向漏源电压

2024-12-03 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号