传感器应运而生。所谓集成温敏传感器就是将PN结温敏传感器与运放连同外围
2021-05-21 07:30
异质结双极晶体管
2012-08-20 08:57
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个
2013-08-17 14:24
与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对pn结反向电流的调制作用
2016-11-29 14:52
同国产管的第三位基本相同。 晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。二、
2012-07-11 11:36
）形成的两个 PN 结（发射结和集电结）组成，分别从三个区引出三个电极（发射极e、基极b 和集电极c）。 晶体管根据掺杂类型不同，可分为 NPN 型和 PNP 型两种；
2021-05-13 06:43
单结晶体管有一个PN结和三个电极，一个发射极和两个基极，所以又称双基极二极管。其结构、等效电路及电路符号如下图所示。a、单结晶体
2018-01-09 11:39
相关的参数，以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。 基本工作特性比较 这三种晶体管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相对于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作开关，因此一般尽量在Vce/Vds较低
2020-06-09 07:34
的典型结构，其结构和符号如图1所示。这种结构的优点是结面积较大，电流分布均匀，易于提高耐压和耗散热量；缺点是电流增益较低，一般约为10~20g。图1、功率晶体管结构及符号图2、达林顿GTR结构(a
2018-01-25 11:27
PUT的负阻特性出现在A-K之间。改变PUT的门极电位UG，即可调节峰点电压UP，也即可以用UG来调节一个等效的单结晶体管的η、IP和IV等参数，因此十分方便。在PUT的基本电路中，通过串联电阻，将R1上的分压加在G-K之间。当UA UR1时，A-K间导通，负载R
2018-01-22 15:23
