根据提问者的意思，N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）
2023-05-09 09:06
PMOS管的栅极（G）、源极（S）和漏极（D）之间的电压关系来控制
2024-10-07 16:57
MOS管是指场效应晶体管，有G(gate 栅极)/D(drain 漏极)/S(source 源极)三个端口，分为
2023-02-03 15:12
当电源接反时，此时G极电压为5V，Ugs》0，所以PMOS管不会导通，也就保护了后端电路。
2020-09-08 14:39
N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）
2023-11-23 09:13
MOS管有三个引脚，分别是，栅极G、源极S、漏极D，这三个脚，用于链接外部的电路。其中栅极G是控制引脚，通过改变引脚
2023-02-27 17:41
Field Effect Transistor）是一种场效应晶体管，其工作原理是通过控制栅极（G）与源极（S）之间的电压（VGS）来改变漏极（
2024-10-06 17:06
当5V反接时，G极是高电平，Ugs》0，PMOS管不会导通，起到保护电路的作用。
2020-03-22 16:24
因为PMOS开启后电流可双向流动，这个电路的负载不能是电池等电压源。否则，如下右图，因为负载电池有5V电压，V G S
2022-08-31 14:44
