电池记忆效应是指如果电池属镍镉电池，长期不彻底充电、放电，易在电池内留下痕迹，降低电池容量的现象。电池记忆效应的意思是说，电池好像记忆用户日常的充、放电幅度和模式，日久就很难改变这种模式，不能再做大幅度充电或放电。
2017-12-22 09:05
本文主要阐述了镍镉电池记忆效应原因及镍镉电池记忆效应的消除方法。
2019-12-03 10:43
当PLL参考时钟和PLL反馈时钟的频率和相位相匹配时，PLL则被称为是锁定状态。达到锁定状态所需的时间称为锁定时间，这是PLL设计最关键的参数之一。
2018-03-14 15:17
记忆合金是由NASA（美国国家航空航天局）应太空开发的需求而研发的，它已越来越多地应用于地球上。例如，对于把记忆合金应用于机器人方面的研究还很少，在这方面多加研究，就有可能开发出更加轻便的机器人。
2019-11-25 15:42
先用FPGA的外部输入时钟clk将FPGA的输入复位信号rst_n做异步复位、同步释放处理，然后这个复位信号输入PLL，同时将clk也输入PLL。设计的初衷是在PLL输出有效时钟之前，系统的其他部分都保持复位状态。
2020-03-29 17:19
形状记忆合金（Shape Memory Alloys），简称SMA，是一种能够在温度和应力作用下发生相变的新型功能材料，具有独特的形状记忆效应、相变伪弹性等特性，广泛应用于航空航天、医疗器械、机械电器等领域。
2018-01-02 18:18
本实验活动介绍锁相环(PLL)。PLL电路有一些重要的应用，例如信号调制/解调（主要是频率和相位调制）、同步、时钟和数据恢复，以及倍频和频率合成。在这项实验中，您将建立一个简单的PLL电路，让您对
2023-07-10 10:22
应力记忆技术（Stress Memorization Technique, SMT），是一种利用覆盖层Si3N4单轴张应力提高90nm 及以下工艺制程中 NMOS速度的应变硅技术。淀积覆盖层
2024-07-29 10:44
在5G PA设计和应用中，有一个名词经常被大家提及：记忆效应(Memory Effect)。
2022-04-15 18:03
校准完成后，PLL的反馈操作使VCO锁定于正确的频率。锁定速度取决于非线性周跳行为。PLL总锁定时间包括两个部分：VCO频段校准时间和PLL周跳时间。VCO频段校准时间仅取决于PFD频率；PFD频率越高，锁定时间越短
2018-05-11 15:14
