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型号：9920<b class='flag-s-7'>GEO</b>-VB 品牌：微碧

### 9920GEO-VB MOSFET#### 一、产品简介9920GEO-VB 是一款双N沟道共漏MOSFET，采用先进的Trench技术制造，封装为TSSOP8。它具有低导通电阻和高电流容许

2024-11-26 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9928<b class='flag-s-7'>GEO</b>-VB 品牌：微碧

### AP9928GEO-VB 产品简介AP9928GEO-VB 是一款集成了Common Drain架构的双N沟道和N沟道MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，封装形式为TSSOP8。它

2024-12-26 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9922<b class='flag-s-7'>GEO</b>-VB 品牌：微碧

### AP9922GEO-VB 产品简介AP9922GEO-VB 是一款集成了Common Drain架构的双N沟道和N沟道MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，封装形式为TSSOP8。该

2024-12-26 14:57 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9923<b class='flag-s-7'>GEO</b>-VB 品牌：微碧

### 9923GEO-VB 产品简介详细9923GEO-VB 是一款双 P+N 沟道场效应管，采用 Trench 技术制造。它具有负20V的漏极-源极电压（VDS），适用于双极性操作，并且具有低导

2024-11-26 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9920<b class='flag-s-7'>GEO</b>-VB 品牌：微碧

### AP9920GEO-VB 产品简介AP9920GEO-VB 是一款双N沟道共源放大器MOSFET，采用TSSOP8封装。该器件结合了高性能的沟槽技术，具有低阈值电压、低导通电阻和高漏源极电流

2024-12-26 14:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9926<b class='flag-s-7'>GEO</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介9926GEO-VB 是一款TSSOP8封装的共栅N+N沟道MOSFET，采用Trench技术。它结合了高性能的导通特性和稳定的电气特性，适合用于各种要求高效能力和可靠性的电源管理

2024-11-26 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9928<b class='flag-s-7'>GEO</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介9928GEO-VB 是一款常开式双通道N+N沟道MOSFET，采用TSSOP8封装，设计用于高效能和高功率密度的应用场合。该器件具有20V的漏源电压和6.6A的连续漏极电流能力

2024-11-26 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9923<b class='flag-s-7'>GEO</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP9923GEO-HF-VB 产品简介AP9923GEO-HF-VB 是一款双 P+P-Channel MOSFET，采用TSSOP8封装。它适用于需要控制负载电流的电路设计，具有低导通电

2024-12-26 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9922<b class='flag-s-7'>GEO</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP9922GEO-HF-VB 产品简介AP9922GEO-HF-VB 是一款具有共源极的N+N沟道功率MOSFET，采用TSSOP8封装，设计用于中等功率要求的电子系统。该器件结合了N沟道

2024-12-26 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9938<b class='flag-s-7'>GEO</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP9938GEO-HF-VB 产品简介AP9938GEO-HF-VB 是一款采用TSSOP8封装的双通道（Common Drain-N+N-Channel）MOSFET。它具有低导通电

2024-12-26 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号