### 一、7N65-VB TO252 产品简介7N65-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装形式为TO252。具有高达650V的耐压能力和低导通电阻特性
2024-11-21 11:52 微碧半导体VBsemi 企业号
1. **产品简介：** 9971-TO252-VB 是由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道场效应管。其丝印标识为 VBE1638。该器件采用 TO252 封装，具有优异
2024-05-22 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**5N60-VB TO252**是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有较高的耐压和电流能力。该MOSFET的设计采用平面技术，确保了其在高压应用中的可靠性和稳定性
2024-11-14 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
一、产品简介：20N06-TO252-VB是VBsemi品牌的N沟道MOS管，具有优秀的性能和可靠性。该产品适用于各种电源管理、电机驱动、开关电源等应用场景。采用TO252封装，易于安装和散热
2024-05-20 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、7N52DK3-VB TO252型号的产品简介7N52DK3-VB是一款高压单N沟道功率MOSFET，适用于需要高电压和中等电流处理能力的应用。采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装
2024-11-20 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**65R950-VB TO252** 是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO252封装，具备中等漏源电压和适中的导通电阻特性。该器件采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多种
2024-11-16 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 1N60-VB TO252是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用Plannar技术，适用于
2024-07-09 13:50 微碧半导体VBsemi 企业号
1. **产品简介：** 76429D-TO252-VB 是由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道场效应管。其丝印标识为 VBE1638。该器件采用 TO252 封装，具有
2024-05-21 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介24N06-TO252-VB是VBsemi品牌推出的N沟道场效应管，采用TO252标准封装。具有60V的耐压能力，45A的电流承受能力，以及在VGS=10V和VGS=20V时的导通电
2024-05-20 15:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**5R399P-VB TO252**是一款高性能单N沟道功率MOSFET，设计用于中高电压和中等电流的应用场合。采用TO252封装，具有优良的功率处理能力和稳定性，适用于各种功率
2024-11-15 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
