摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面预处理（四种标准化学蚀刻和四种金刚石粉末磨刻(CVD)的效率。空白氮化硅样
2022-01-21 15:02
、介电常数高等优点，在集成电路制造领域被广泛用作表面钝化层、绝缘层、扩散阻挡层、刻蚀掩蔽膜等。 LPCVD 和 PECVD 制备氮化硅薄膜特性对比（下表） 低压化学气相沉积（LPCVD）氮化硅工艺需要高温，通常在 7
2024-11-24 09:33
氮化铝具有较高的热导性，比氮化硅高得多。这使得氮化铝在高温环境中可以更有效地传导热量。
2023-07-06 15:41
氮化硅基板是一种新型的材料，具有高功率密度、高转换效率、高温性能和高速度等特点。这使得氮化硅线路板有着广泛的应用前景和市场需求，正因为如此斯利通现正全力研发氮化硅作为基材的线路板。
2023-04-11 12:02
氮化硅是一种半导体材料。氮化硅具有优异的热稳定性、机械性能和化学稳定性，被广泛应用于高温、高功率和高频率电子器件中。它具有较宽的能隙（大约3.2电子伏特），并可通过掺杂来调节其导电性能，因此被视为一种重要的半导体材料。
2023-07-06 15:44
在中红外波长下，演示了一种具有大纤芯-包层指数对比度的锗基平台——氮化硅锗波导。仿真验证了该结构的可行性。这种结构是通过首先将氮化硅沉积的硅上锗施主晶片键合到硅衬底晶片上，然后通过层转移方法获得氮化硅上锗结构来实现的
2021-12-16 17:37
氮化硅（Si₃N₄）薄膜是一种高性能介质材料，在集成电路制造领域具有广泛的应用前景。作为非晶态绝缘体，氮化硅薄膜不仅介电特性优于传统的二氧化硅，还具备对可移动离子的强阻挡能力、结构致密、针孔密度
2024-11-29 10:44
评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。国家半导体技术路线图规定了从硅片上去除颗粒百分比的标准挑战，该挑战基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11
氮化硅陶瓷轴承球与钢质球相比具有突出的优点:密度低、耐高温、自润滑、耐腐蚀。疲劳寿命破坏方式与钢质球相同。陶瓷球作为高速旋转体产生离心应力，氮化硅的低密度降低了高速旋转体外圈上的离心应力。
2023-07-05 10:37
