) （7）光刻胶的去除 5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱 7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、 用热磷酸去除
2011-12-01 15:43
）法”和“氨热法”。“Na Flux（钠助溶）法”的优势是可使晶圆实现较大的尺寸、较高的质量；“氨热法”的优势是可提高晶圆质量。二者融合后，可以获得比碳化硅成本更低的的氮化
2023-02-23 15:46
来激活化学气相淀积反应。其淀积温度一般在400℃以下，可以用来淀积氧化硅、氮化硅、PSG、BPSG、Al2O3等绝缘体及钝化膜和非晶硅薄膜以及有机化合物和TiC、TiN等耐磨抗蚀膜。在
2018-11-05 15:42
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑 FPC表面电镀知识1．FPC电镀 (1)FPC电镀的前
2013-11-04 11:43
组件来实现产品设计。也因为消费性市场存在可观的潜在需求，相较于碳化硅组件基本上是整合组件制造商(IDM)的天下，氮化镓制程已经吸引台积电等晶圆代工业者投入。不过，氮化镓
2021-09-23 15:02
1．FPC电镀 (1)FPC电镀的前处理 柔性印制板FPC经过涂覆盖层工艺后露出的铜导体表面可能会有胶黏剂或油墨污
2018-11-22 16:02
、 合金化6、 单面光刻（涂胶、对准、曝光、显影）7、 双面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化硅
2015-01-07 16:15
、CMP、ICP 干蚀刻、亚表面损伤、等离子体诱导损伤 直接比较了 GaN 衬底的表面处理方法，即使用胶体二氧化硅浆料的化学机械抛光 (CMP) 和使用 SiCl4 气
2021-07-07 10:26
电路板电镀 （1）FPC电镀的前处理柔性印制板FPC经过涂覆盖层工艺后露出的铜导体表面可能会有胶黏剂或油墨污染，也还会有因高温工艺产生的氧化、变色，要想获得附着力良好的
2017-11-24 10:38
电路板电镀 （1）FPC电镀的前处理柔性印制板FPC经过涂覆盖层工艺后露出的铜导体表面可能会有胶黏剂或油墨污染，也还会有因高温工艺产生的氧化、变色，要想获得附着力良好的
2017-11-24 10:54
