本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工
2018-04-03 16:11
依据IPC 7351标准封装库并参考器件规格书推荐的焊盘尺寸进行封装设计。为了快速设计，Layout 工程师优先按照推荐的焊盘尺寸上进行加大修正设计，PCB 助焊焊盘设计长宽均加大 0．1mm，阻焊焊盘也在助焊焊盘基础上长宽各加大
2019-12-05 14:32
当PN结外加反向电压|vD|小于击穿电压（VBR）时，iD≈–IS。IS很小且随温度变化。当反向电压的绝对值达到|VBR|后，反向电流会突然增大，此时PN结处于“反向
2020-08-27 16:28
本文开始阐述了电容击穿的概念和电容器被击穿的条件，其次分析了电容击穿后是开路还是短路，最后介绍了电容击穿的原因以及避免介质击穿
2018-03-27 18:21
IGBT关断时，如果关断过快，di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。
2021-05-15 14:51
使用晶圆级封装 （WLP） 可以减小解决方案的整体尺寸和成本。然而，当使用WLP IC时，印刷电路板（PCB）布局可能会变得更加复杂，如果不仔细规划，会导致设计不可靠。本文介绍了为您的应用选择0.4mm或0.5mm间
2023-03-07 13:48
MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿) 先讲测试条
2018-01-22 12:15
需要从顶层（或底层）直接连接到中间某一层（而非贯穿到底层）时，需要使用BBVia，它能有效减少过孔占用表层空间。2、BBVia的孔径通常较小（如0.1mm以下），且
2025-05-23 21:34 深圳(耀创)电子科技有限公司 企业号
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。
2023-09-19 11:44
