电子发烧友

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热

2025-01-13 17:36 英飞凌工业半导体 企业号

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热

2025-01-06 17:05 英飞凌工业半导体 企业号

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提

2024-10-22 08:01 英飞凌工业半导体 企业号

功率器件热设计是实现IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠运行的基础。掌握功率半导体的热设计基础知识，不仅有助于提高

2025-02-03 14:17

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提

2024-11-26 01:02 英飞凌工业半导体 企业号

在并联电路中，总功率与各部分功率之间的关系是非常直接和简单的。由于并联电路的特性，各个元件（或称为支路）两端的电压都是相等的，且都等于电源电压。因此，我们可以根据电功率

2024-08-22 14:47

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热

2024-12-03 01:03 英飞凌工业半导体 企业号