AOE刻蚀氧化硅可以，同时这个设备可以刻蚀硅吗？大致的气体配比是怎样的，我这里常规的刻蚀气体都有，但是过去用的ICP，还没有用过AOE刻蚀硅，请哪位大佬指点一下，谢谢。
2022-10-21 07:20
深反应离子刻蚀工艺，是实现高深宽比特性的重要方式，已成为微加工技术的基石。这项刻蚀技术在众多领域均得到了应用：1)MEMS电容式惯性传感器；2) 宏观设备的微型化；3) 三维集成电路堆叠技术的硅通孔工艺。
2020-10-09 14:17
刻蚀机不能代替光刻机。光刻机的精度和难度的要求都比刻蚀机高出很多，在需要光刻机加工的时候刻蚀机有些不能办到，并且刻蚀机的
2022-02-05 15:47
典型的硅刻蚀是用含氮的物质与氢氟酸的混合水溶液。这一配比规则在控制刻蚀中成为一个重要的因素。在一些比率上，刻蚀硅会有放热反应。加热反应所产生的热可加速刻蚀反应，接下来又
2018-12-21 13:49
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻
2022-08-31 16:29
刻蚀有三种:纯化学刻蚀、纯物理刻蚀，以及介于两者之间的反应式离子刻蚀（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45
在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21
PDMS（聚二甲基硅氧烷）是一种常见的弹性体材料，广泛应用于微流控芯片、生物传感器和柔性电子等领域。在这些应用中，刻蚀工艺是实现微结构加工的关键步骤。湿法刻蚀和软刻蚀是两种常用的
2024-09-27 14:46
原子层为单位，逐步去除材料表面，从而实现高精度、均匀的刻蚀过程。它与 ALD（原子层沉积）相对，一个是逐层沉积材料，一个是逐层去除材料。 工作原理 ALE 通常由以下两个关键阶段组成： 表面活化阶段：使用气相前体或等离子体激活表面，形成化学吸附层或修饰层。
2025-01-20 09:32
