羟基硫化铟具有资源丰富、价格低廉、无毒、耐辐射、耐高温、化学稳定性好等特点，是一种非常重要的光电、光伏和光传感薄膜材料。对这种材料的一些处理包括热退火，这是一种用于内部应力释放、结构改善和表面粗糙化
2022-05-24 17:04
本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题：射程末端（EOR）缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
2025-04-23 10:54
通常，退火工艺是与其他工艺（如离子注入、薄膜沉积、金属硅化物的形成等）结合在一起的，最常见的就是离子注入后的热退火。离子注入会撞击衬底原子，使其脱离原本的晶格结构，而对衬底晶格造成损伤。
2022-11-02 10:03
在MEMS工艺中，常用的退火方法，如高温炉管退火和快速热退火（RTP）。RTP (Rapid Thermal Processing)是一种在很短的时间内将整个硅片加热到400~1300°C范围的方法。
2024-03-19 15:21
激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发
2023-05-16 10:45 深圳市科瑞特自动化技术有限公司 企业号
高温炉广泛用于进行注入后的热退火。高温炉的退火处理是一个批量过程，在850摄氏度至1000摄氏度情况下，通常约30min能处理100片晶圆。
2023-05-22 09:56
快速热退火工艺（Rapid Thermal Annealing, RTA）是一种在半导体制造中常用的处理工艺，特别是在硅基集成电路的生产过程中。它主要被用于晶圆上薄膜的退火，以改善薄膜的电学性能，减少杂质和缺陷，或改变材料的结构。与传统的长时间炉
2023-11-11 10:53 北京中科同志科技股份有限公司 企业号
摘要：本文针对激光退火后晶圆总厚度偏差（TTV）变化的问题，深入探讨从工艺参数优化、设备改进、晶圆预处理以及检测反馈机制等方面，提出一系列有效管控 TTV 变化的方法，为提升激光退火后晶圆质量提供
2025-05-23 09:42
主要应用领域： 1.快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)； 2.离子注入/接触退火； 3.金属合金； 4.热氧化
2023-08-16 18:24
红外测温仪很容易透过洁净的火焰测温。但是如果测温仪选择错误，并且瞄准黄色火焰，它将产生错误的高温。以工字钢为例，如果产生错误读数，用户会认为已经退火了。工字钢没有正确退火将变得很软，在装配过程中会弯曲。而返工重新处理需要花费几千美元费用。
2019-10-23 14:35
