本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工
2018-04-03 16:11
当PN结外加反向电压|vD|小于击穿电压（VBR）时，iD≈–IS。IS很小且随温度变化。当反向电压的绝对值达到|VBR|后，反向电流会突然增大，此时PN结处于“反向
2020-08-27 16:28
本文主要阐述了跨步电压安全距离及跨步电压的危害。
2020-01-03 10:48
本文开始阐述了电容击穿的概念和电容器被击穿的条件，其次分析了电容击穿后是开路还是短路，最后介绍了电容击穿的原因以及避免介质击穿
2018-03-27 18:21
IGBT关断时，如果关断过快，di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。
2021-05-15 14:51
MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿) 先讲测试条
2018-01-22 12:15
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。
2023-09-19 11:44
稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有
2018-01-19 17:09
