氢氧化钾在 Si中的蚀刻得到垂直表面（例如，高表面张力影响结晶硅平面的蚀刻），而氢氧化四甲基铵得到 45° 的侧壁。我们通过创建微镜阵列来说明这些制造结构的使用，这些微
2021-07-19 11:03
环境，使用的是对人体乃至对机械都有伤害的介质。例如硫酸、盐酸、硝酸和碱性的氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙液体等都是腐蚀性液体。当然还有很多的包括腐蚀性气体。中昊传感器解决方案专家，有传感器问题找中昊！`
2017-08-10 09:40
氢氧化钠瓶、一个硫酸清洗瓶、一个安全瓶；8、微处理恒温器及PID控制，数字显示温度，*度0.1℃，Pt100 RTD温度探头；9、工作温度范围：室温~200°C；安全措施防止过热或低液位；其他自配氧气源
2020-10-31 14:06
)- 100k 欧姆电阻器 (2x)- 470nF 25v 电容器 - 2.2uF +350v 电容 - 2.2uF 25v 电容 - 10uF 25v 电容- 100uF 25v 电容器对于自制印刷电路板：- 正片印刷电路板- 显影液（氢氧化钠）- 蚀刻
2022-06-20 10:22
Cu2+是氧化剂，所以Cu2+的浓度是影响蚀刻速率的主要因素。研究铜浓度与蚀刻速率的关系表明：在0－11盎司/加仑时，蚀刻时间长；在11－16盎司/加仑时，
2018-02-09 09:26
是半导体制造，微机械和微流控设备中的重要过程，需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态，这在宏观上几乎是不可能获得的。由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻
2021-01-08 10:15
PCB碱性蚀刻常见问题原因及解决方法
2012-08-03 10:14
过程具有反应受限的性质。HClH3PO4:H2O2 蚀刻剂是 HCl 和 H2O2 在 H3PO4 中的非水溶液溶剂。作为氧化剂的H2O2起着非常重要的作用。单独的盐酸，不含 H2O2，不会侵蚀 GaAs
2021-07-09 10:23
晶片边缘的蚀刻机台，特别是能有效地蚀刻去除晶片边缘剑山的一种蚀刻机，在动态随机存取存储单元(dynamic random access memory，DRAM)的制造过程中，为了提高产率，便采用
2018-03-16 11:53
阳极偏压光照下，在氢氧化钾、硫酸和盐酸溶液中的腐蚀速率测量结果。这项研究的目的是了解在这些不同的环境下，氮化镓蚀刻的动力学和机制。蚀刻后半导体表面的表面分析提供了关于蚀刻
2021-10-13 14:43
