刻蚀有三种:纯化学刻蚀、纯物理刻蚀，以及介于两者之间的反应式离子刻蚀（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45
在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21
PDMS（聚二甲基硅氧烷）是一种常见的弹性体材料，广泛应用于微流控芯片、生物传感器和柔性电子等领域。在这些应用中，刻蚀工艺是实现微结构加工的关键步骤。湿法刻蚀和软刻蚀是两种常用的
2024-09-27 14:46
刻蚀是移除晶圆表面材料，达到IC设计要求的一种工艺过程。刻蚀有两种:一种为图形 化刻蚀，这种刻蚀能将指定区域的材料去除，如将光刻胶或光刻版上的图形转移到衬底薄膜 上
2023-02-01 09:09
刻蚀过程中形成几乎完全垂直于晶圆表面的侧壁，是一种各向异性的刻蚀。刻蚀后的侧壁非常垂直，底部平坦。这是理想的刻蚀形态，它能够非常精确地复制掩膜上的图案。
2024-03-27 10:49
本文介绍了刻蚀工艺参数有哪些。 刻蚀是芯片制造中一个至关重要的步骤，用于在硅片上形成微小的电路结构。它通过化学或物理方法去除材料层，以达到特定的设计要求。本文将介绍几种关键的刻蚀参数，包括不完全
2024-12-05 16:03
在集成电路的制造过程中，刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性
2020-12-29 14:42
刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示， 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 为了高的产量， 希望有高的刻蚀速率。 在采用单片工艺的设备中， 这是
2022-03-15 13:41
芯片湿法刻蚀方法主要包括各向同性刻蚀和各向异性刻蚀。为了让大家更好了解这两种方法，我们下面准备了详细的介绍，大家可以一起来看看。 各向同性刻蚀 定义：各向同性
2024-12-26 13:09
ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子层刻蚀。是和ALD相对的，均是自限性反应，一个是沉积一个是刻蚀。ALD是每个循环只沉积一层原子，ALE是每个循环只刻蚀
2024-12-20 14:15
