评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。国家半导体技术路线图规定了从硅片上去除颗粒百分比的标准挑战，该挑战基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11
了实验室反应器配置。给出了根据所需薄膜特性设计和使用等离子体化学气相沉积反应器的参考点。最后，讨论了避免粉末形成和提高薄膜生长速率的解决方案。 介绍 在过去的二十年里，非平衡（“冷”）大气压力等离子体增强化学气相沉积
2022-02-21 16:50
优化硅的形态与沉积方式是半导体和MEMS工艺的关键，LPCVD和APCVD为常见的硅沉积技术。
2024-01-22 09:32
原子层沉积（Atomic layer deposition，ALD）是一种可以沉积单分子层薄膜的特殊的化学气相沉积技术。
2023-06-15 16:19
和在刻蚀工艺中一样，半导体制造商在沉积过程中也会通过控制温度、压力等不同条件来把控膜层沉积的质量。例如，降低压强，沉积速率就会放慢，但可以提高垂直方向的
2023-07-02 11:36
。 PVD 沉积工艺在半导体制造中用于为各种逻辑器件和存储器件制作超薄、超纯金属和过渡金属氮化物薄膜。最常见的 PVD 应用是铝板和焊盘金属化、钛和氮化钛衬垫层、阻挡层沉积和用于互连金属化的铜阻挡层种子沉积。 PVD
2023-05-26 16:36
选择性沉积技术可以分为按需沉积与按需材料工艺两种形式。 随着芯片制造技术的不断进步，制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑战，尤其是全环绕栅极（Gate-All-Around， GAA）晶体管和更
2024-12-07 09:45
进行MEMS制造的最基本需求是能够沉积1到100微米之间的材料薄膜。NEMS的制造过程是基本一致的，膜沉积的测量范围从几纳米到一微米。
2022-10-11 09:12
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅则以其极低的沉积温度、良好的化学与机械性能以及广泛的应用前景而受到关注。
2025-02-05 13:49
