优化硅的形态与沉积方式是半导体和MEMS工艺的关键，LPCVD和APCVD为常见的硅沉积技术。
2024-01-22 09:32
和在刻蚀工艺中一样，半导体制造商在沉积过程中也会通过控制温度、压力等不同条件来把控膜层沉积的质量。例如，降低压强，沉积速率就会放慢，但可以提高垂直方向的
2023-07-02 11:36
。 PVD 沉积工艺在半导体制造中用于为各种逻辑器件和存储器件制作超薄、超纯金属和过渡金属氮化物薄膜。最常见的 PVD 应用是铝板和焊盘金属化、钛和氮化钛衬垫层、阻挡层沉积和用于互连金属化的铜阻挡层种子沉积。 PVD
2023-05-26 16:36
进行MEMS制造的最基本需求是能够沉积1到100微米之间的材料薄膜。NEMS的制造过程是基本一致的，膜沉积的测量范围从几纳米到一微米。
2022-10-11 09:12
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅则以其极低的沉积温度、良好的化学与机械性能以及广泛的应用前景而受到关注。
2025-02-05 13:49
Serder速率从56G向112G甚至224G演进,铜缆传输速率也将向224Gbps发展，目前以太网速率已从1Gbps提升至800Gbps，未来将向1.6Tbps方向发展。Serder
2025-04-10 07:34 广东万连科技有限公司 企业号
半导体知识：PVD金属沉积制程讲解
2019-07-24 11:47
本文研究了外延沉积前原位工艺清洗的效果，该过程包括使用溶解的臭氧来去除晶片表面的有机物，此外，该过程是在原位进行的，没有像传统上那样将晶圆从工艺转移到冲洗罐。结果表明，与不使用溶解臭氧作为表面处理
2022-04-12 13:25
溅射镀膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。
2023-02-24 09:51
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-08-17 15:33
