在封装前，通常要减薄晶圆，减薄晶圆主要有四种主要方法：机械磨削、化学机械研磨、湿法蚀刻和等离子体干法化学蚀刻。
2024-01-26 09:59
“减薄”，也叫 Back Grinding（BG），是将晶圆（Wafer）背面研磨至目标厚度的工艺步骤。这个过程通常发生在芯片完成前端电路制造、被切割前（即晶圆仍然整体时），是连接芯片制造和封装之间的桥梁。
2025-05-30 10:38
，满足晶圆的翘曲度的要求。但封装的时候则是薄一点更好，所以要处理到100~200um左右的厚度，就要用到减薄工艺。 满足封装要求 降低封装厚度 在电子设备不断向小型化、轻薄化发展的趋势下，对集成电路芯片的厚度有严
2024-12-24 17:58
薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。更薄的模具需要装进更薄的包装中。与标准的机械背磨相比，在背面使用最终的湿法蚀刻工艺而变薄的晶片的应力更小。
2022-08-26 09:21
薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背
2022-04-07 14:46
在电子行业中，PCB板的表面处理对于产品的性能和稳定性具有重要意义，它可放置电路板受到环节因素的影响，提高产品的可靠性和稳定性，但很多不良厂商会选择在表面处理工艺上偷工减
2023-09-25 14:50
本文提出了一种用于实现贯穿芯片互连的包含沟槽和空腔的微机械晶片的减薄方法。通过研磨和抛光成功地使晶圆变薄，直至达到之前通过深度反应离子蚀刻蚀刻的空腔。研究了腐蚀结构损坏的可能原因。研究了空腔中颗粒
2022-03-29 14:56
晶圆薄化是实现集成电路小型化的主要工艺步骤，硅片背面磨至70微米的厚度被认为是非常关键的，因为它很脆弱。本文将讨论关键设备检查项目的定义和设置险。 所涉及的设备是内联晶圆背面研磨和晶圆安装。本研究
2022-03-31 14:58
本文主要讲述TSV工艺中的硅晶圆减薄与铜平坦化。 硅晶圆减薄与铜平坦化作为 TSV 三维集成技术的核心环节，主要应用于含铜 TSV 互连的
2025-08-12 10:35
