在封装前，通常要减薄晶圆，减薄晶圆主要有四种主要方法：机械磨削、化学机械研磨、湿法蚀刻和等离子体干法化学蚀刻。
2024-01-26 09:59
“减薄”，也叫 Back Grinding（BG），是将晶圆（Wafer）背面研磨至目标厚度的工艺步骤。这个过程通常发生在芯片完成前端电路制造、被切割前（即晶圆仍然整体时），是连接芯片制造和封装之间的桥梁。
2025-05-30 10:38
，满足晶圆的翘曲度的要求。但封装的时候则是薄一点更好，所以要处理到100~200um左右的厚度，就要用到减薄工艺。 满足封装要求 降低封装厚度 在电子设备不断向小型化、轻薄化发展的趋势下，对集成电路芯片的厚度有严
2024-12-24 17:58
`我司有进口的减薄砂轮（可替代DISCO减薄砂轮），钻石液，UV膜，等半导体耗材以及研磨抛光减
2014-06-19 13:42
。并根据减薄后的质量情况,使用统计方法,对减薄的过程进行了监控。【关键词】：硅片;;背面
2010-05-04 08:09
薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。更薄的模具需要装进更薄的包装中。与标准的机械背磨相比，在背面使用最终的湿法蚀刻工艺而变薄的晶片的应力更小。
2022-08-26 09:21
薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背
2022-04-07 14:46
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2021-06-29 10:18
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2021-06-30 10:45
