### 086P3N-VB 产品简介086P3N-VB 是一款 DFN8(3X3) 封装的单路 P 沟道 MOSFET，具有 -30V 的漏极-源极电压（VDS）和 ±20V 的门源极电压（VGS
2024-07-03 17:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介AP4527GN3-VB 是一款双N+P沟道MOSFET，采用DFN8(3X3)-B封装。该器件适用于需要同时控制正负电压的电路设计，具有优良的导通特性和高效的功率转换能力
2024-12-19 16:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AP2428GN3-VB** 是一款双N+N-沟道功率MOSFET，采用DFN8(3X3)-B封装。该器件结合了双N沟道和双P沟道MOSFET，适合高效能量转换和功率管
2024-12-17 11:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号：BSZ340N08NS3 G-VB**- **封装类型**：DFN8 (3x3)- **配置**：单N沟道MOSFET- **技术**：沟槽式BSZ340N08NS3
2025-01-10 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号**: 180P3N-VB- **封装**: DFN8(3X3)- **配置**: 单P沟道- **漏源电压 (VDS)**: -30V- **栅源电压 (VGS)
2024-07-08 15:17 微碧半导体VBsemi 企业号
危害性物质限制指令的3x3 mm SMT封装正增益斜率Qorvo的CMD195C3是一款宽带RF/微波MMIC SPDT开关，采用无引线3x3 mm表面贴装（SM
2024-02-29 21:05 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介VBsemi的11N3L-VB是一款单N沟道MOSFET，采用DFN8(3X3)封装，具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压
2024-07-05 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号**: BSZ076N06NS3 G-VB **封装**: DFN8 (3x3) **配置**: 单N沟道MOSFET **技术
2025-01-10 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号
0909NS-VB是一款单N沟道MOSFET，具有以下主要参数：- VDS（漏极-源极电压）：30V- VGS（门极-源极电压）：20V（±）- Vth（门极阈值电压）：1.7V- RDS(ON)（导通时的漏极-源极电阻）：19mΩ@VGS=4.5V，13mΩ@VGS=10V- ID（漏极电流）：30A- 技术特点：沟道工艺产品简介：0909NS-VB是一款
2024-07-04 13:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AON7406-VB** 是一款单N沟道MOSFET，采用DFN8(3X3)封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力，适合需要高效能和高功率密度的电源管理和开关应用。### 详细
2024-12-07 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
