间的穿通击穿 有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后源区中的多数载流子，将直接受耗尽
2018-11-20 14:06
了裸片与封装系统的热效应。RθJA定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与PCB设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。 开关电源中的MOS管 现
2018-12-17 14:16
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管
2023-03-12 05:16
（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 有些MOS管中，其
2018-11-20 14:10
。 至于为什么不适用号耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用
2018-12-03 14:43
一、MOS管并联理论：(1)、三极管(BJT)具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS管具有正的
2021-10-29 07:04
二极管的管压降0.5v左右，同样也应该可以测得到电阻一般为几千欧以内。1.2 如何判断MOS管是N型还是P型?2. MOS
2021-12-31 06:20
。 MOS管的封装形式 封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。所以芯片的封装技术是非常重要的。 以安装在PCB的方式区分，功率
2018-11-14 14:51
mos管的应用场景，你了解么？低压MOS管可称为金属氧化物半导体场效应管，因为低压
2018-11-14 09:24
MOS管高，中，低压全系列
2022-09-04 15:54
