引言 Cu-Cu混合键合(Cu-Cu Hybrid Bonding) 技术正在成为先进3D集成的重要技术，可实现细间距互连和高密度芯片堆叠。本文概述了Cu-Cu混合键合的原理、工艺、主要挑战和主要
2024-11-24 12:47
本文介绍了Cu-Cu混合键合主要用在哪方面以及原理是什么。
2025-02-26 17:35
M2354错误注入攻击(Fault Injection Attack)防护
2023-08-10 11:12
本文介绍了影响集成电路可靠性的Cu/low-k互连结构中的电迁移问题。
2025-03-13 14:50
减少高频率中的插入损耗。适用于多层板框架时，CU4000™和CU4000 LoPro®铜箔能够优化精准度同时减少半固化片
2023-07-05 13:57
Cu Metal Mesh材料具有更小的方阻，具有更快的触控反应速度，与各家IC具有更好的匹配性，便于分位调试。Glass ITO、Nano-silver材料更多的应用在手机、平板、笔电等中小尺寸产品。Cu Metal Mesh材料，方阻更低，可以降低能耗，不
2019-04-30 17:39
“Kalaetron Attack”干扰系统是Hensoldt公司全数字Kalaetron产品系列之一，用于德国武装部队的自我防御和信号侦察。系统研发过程中采用了认知软件相关技术，并融合了Hensoldt公司的雷达干扰技术经验和人工智能技术
2023-12-10 09:45
先进半导体封装的凸块技术已取得显着发展，以应对缩小接触间距和传统倒装芯片焊接相关限制带来的挑战。该领域的一项突出进步是 3D Cu-Cu 混合键合技术，它提供了一种变革性的解决方案。
2023-09-21 15:42
随着芯片集成度的不断提高，Cu已经取代Ａｌ成为超大规模集成电路互连中的主流互连材料。在目前的芯片制造中，芯片的布线和互连几乎全部是采用直流电镀的方法获得Cu镀
2009-09-11 17:06
半导体装置为了达成附加值高的系统LSI，需要高集成化，高速化，这其中新的布线材料，绝缘膜是不可缺少的。其中，具有低电阻的Cu，作为布线材料受到关注。化学机械抛光（CMP）和之后的清洗是Cu布线形成中不可缺少的过程，C
2022-04-26 14:07
