铜，电路中的晶振为一高频发射源，做法是在环绕晶振敷铜，然后将
2017-04-14 10:48
附近的覆铜，电路中的晶振为一高频发射源，做法是在环绕晶振敷铜，然后将
2019-06-14 00:42
的电源连线：V5.0V、V3.6V、V3.3V(SD卡供电)，等等。这样一来，就形成了多个不同形状的多变形结构。 覆铜需要处理好几个问题：一是不同地的单点连接，二是晶振附近的覆铜，电路中的
2014-12-09 15:08
，电路中的晶振为一高频发射源，做法是在环绕晶振敷铜，然后将
2016-10-25 14:30
，电路中的晶振为一高频发射源，做法是在环绕晶振敷铜，然后将
2016-11-17 16:03
等等，这样一来，就形成了多个不同形状的多变形结构。 2．对不同地的单点连接，做法是通过0欧电阻或者磁珠或者电感连接； 3．晶振附近的覆铜，电路中的晶
2011-11-30 15:14
连线：V5.0V、V3.6V、V3.3V（SD卡供电），等等。这样一来，就形成了多个不同形状的多变形结构。覆铜需要处理好几个问题：一是不同地的单点连接，二是晶振附近的覆铜，电路中的
2011-07-15 16:16
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2024-01-04 11:54
