### 产品简介**AM40P06-135P-VB**是一款高性能的P沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装为TO220,适用于需要较高功率处理和稳定性的电子应用。该型号具有低导通电阻和高电流
2024-11-29 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
电压下提供优异的导通特性,适合需要高效能量管理和可靠性能的电子电路设计。### 二、详细的参数说明- **型号**:AP40P03GP-VB- **封装**:TO
2024-12-18 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详述:AM40P10-200P-VB**型号:** AM40P10-200P-VB **封装:** TO220 **结构:** 单P沟道 **漏极
2024-11-29 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:AM40N20-180P-VB**AM40N20-180P-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。该器件封装为 TO220,具有高电压耐受能力
2024-11-29 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号
便捷的安装和散热。### 详细参数说明- **通道类型:** P—Channel沟道- **最大栅极—源极电压 (VDS(max)):** -40V- **最大漏极
2024-06-14 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号
,适用于电源管理和功率控制领域的应用。### 2. 参数说明:- **型号:** AM40P20-150PCFM-VB- **封装:** TO220F- **配置:**
2024-11-29 16:26 微碧半导体VBsemi 企业号
,适用于需要高效能量转换和电流控制的应用场合。### 详细参数说明- **型号**: AM40P03-20D-VB- **封装类型**: TO252- **配置**:
2024-11-29 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、40P03GP-VB TO220 产品简介40P03GP-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压(VDS),并具有 ±20V
2024-11-08 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号
**型号:** HM40P04K-VB**品牌:** VBsemi**丝印:** VBE2412**封装:** TO252**产品简介:**HM40P04K-VB是一款P沟道场效应管,适用于负载开关
2024-06-01 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 40P03-VB TO220 MOSFET 产品简介40P03-VB 是一款高性能的单 P 沟道场效应管,采用 TO220 封装,适用于各种电子应用中的高效能管理。具有优秀的热性能和可靠性
2024-11-08 11:24 微碧半导体VBsemi 企业号