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型号：AM<b class='flag-s-7'>40P06-135P</b>-VB 品牌：微碧

承载能力，适合要求高效能和可靠性的电源管理和开关控制应用。### 详细参数说明- **封装类型**: TO220- **配置**: 单P沟道- **漏源电压 (VD

2024-11-29 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM<b class='flag-s-7'>40P</b>20-150PCFM-VB 品牌：微碧

，适用于电源管理和功率控制领域的应用。### 2. 参数说明：- **型号：** AM40P20-150PCFM-VB- **封装：** TO220F- **配置：**

2024-11-29 16:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM<b class='flag-s-7'>40P</b>03-20D-VB 品牌：微碧

，适用于需要高效能量转换和电流控制的应用场合。### 详细参数说明- **型号**: AM40P03-20D-VB- **封装类型**: TO252- **配置**:

2024-11-29 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM70N15-<b class='flag-s-7'>40P</b>-VB 品牌：微碧

### AM70N15-40P-VB 产品简介AM70N15-40P-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于各种高功率应用。该器件设计采用了先进的Trench技术，确保

2024-12-02 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>40P</b>03GP-VB 品牌：微碧

电压下提供优异的导通特性，适合需要高效能量管理和可靠性能的电子电路设计。### 二、详细的参数说明- **型号**：AP40P03GP-VB- **封装**：TO

2024-12-18 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>40P</b>03GJ-VB 品牌：微碧

理和稳定性，适合需要高效能和可靠性的电子设备设计。### 详细规格- **型号：** AP40P03GJ-VB- **封装：** TO251- **配置：** 单 N-

2024-12-18 16:18 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM<b class='flag-s-7'>40P10-200P</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介详述：AM40P10-200P-VB**型号：** AM40P10-200P-VB  **封装：** TO220  **结构：** 单P沟道  **漏极

2024-11-29 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM<b class='flag-s-7'>40N20-180P</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**型号：AM40N20-180P-VB**AM40N20-180P-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造。该器件封装为 TO220，具有高电压耐受能力

2024-11-29 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>40P</b>03GP-VB 品牌：微碧

### 一、40P03GP-VB TO220 产品简介40P03GP-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压（VDS），并具有 ±20V

2024-11-08 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SSD<b class='flag-s-7'>40P</b>04-20D-VB 品牌：微碧

便捷的安装和散热。### 详细参数说明- **通道类型：** P—Channel沟道- **最大栅极—源极电压 (VDS(max)):** -40V- **最大漏极

2024-06-14 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号