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型号：NCE<b class='flag-s-7'>40P40</b>K-VB 品牌：微碧

型号  NCE40P40K-VB丝印  VBE2412品牌  VBsemi详细参数说明   P沟道 额定电压  

2023-11-09 11:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SQD<b class='flag-s-7'>40P10-40</b>L-GE3-VB 品牌：微碧

型号： SQD40P10-40L-GE3-VB丝印： VBE2104N品牌： VBsemi参数： P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36m

2023-12-13 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>40P40</b>K-VB 品牌：微碧

型号  NCE40P40K-VB丝印  VBE2412品牌  VBsemi详细参数说明   P沟道 额定电压  

2023-11-20 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM<b class='flag-s-7'>40P06-135P</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**AM40P06-135P-VB**是一款高性能的P沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，封装为TO220，适用于需要较高功率处理和稳定性的电子应用。该型号具有低导通电阻和高电流

2024-11-29 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>40P</b>03GP-VB 品牌：微碧

电压下提供优异的导通特性，适合需要高效能量管理和可靠性能的电子电路设计。### 二、详细的参数说明- **型号**：AP40P03GP-VB- **封装**：TO

2024-12-18 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM<b class='flag-s-7'>40P10-200P</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介详述：AM40P10-200P-VB**型号：** AM40P10-200P-VB  **封装：** TO220  **结构：** 单P沟道  **漏极

2024-11-29 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SQD<b class='flag-s-7'>40P10-40</b>L-GE3-VB 品牌：微碧

 型号   SQD40P10-40L-GE3-VB 功能类型   P沟道功率MOSFET 最大电压   -100V 最大电流

2023-11-09 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM<b class='flag-s-7'>40P</b>20-150PCFM-VB 品牌：微碧

，适用于电源管理和功率控制领域的应用。### 2. 参数说明：- **型号：** AM40P20-150PCFM-VB- **封装：** TO220F- **配置：**

2024-11-29 16:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM<b class='flag-s-7'>40P</b>03-20D-VB 品牌：微碧

，适用于需要高效能量转换和电流控制的应用场合。### 详细参数说明- **型号**: AM40P03-20D-VB- **封装类型**: TO252- **配置**:

2024-11-29 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM<b class='flag-s-7'>40N20-180P</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**型号：AM40N20-180P-VB**AM40N20-180P-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造。该器件封装为 TO220，具有高电压耐受能力

2024-11-29 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号