参数说明- **型号**: 30P06-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单 P 型通道- **漏源电压 (VDS)**: -60V- **栅源
2024-11-04 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号
的应用场合。### 详细参数说明- **型号**: AM90P10-30P-VB- **封装**: TO220- **配置**: 单P沟道- **漏源极电压 (VDS)
2024-12-03 15:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介UTT30P04L-TN3-R-VB是VBsemi推出的P-Channel沟道MOSFET，具有-40V的漏极-源极电压承受能力和-65A的漏极电流承受能力。其低导通电阻(RDS
2024-06-17 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
用。### AP30P10GI-VB 参数说明- **封装类型**：TO220F- **配置**：单P-通道- **漏源极电压 (VDS)**：-100V- **栅极电压
2024-12-17 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
UTT30P04L-TN3-T-VB是VBsemi生产的P-Channel沟道MOSFET，具有以下特性：### 产品简介：- **丝印：** VBE2412- **品牌：** VBsemi-
2024-06-17 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、40P03GP-VB TO220 产品简介40P03GP-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压（
2024-11-08 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介UT30P04L-TN3-T-VB是VBsemi推出的一款P沟道场效应管，丝印标识为VBE2412，采用TO252封装。它具有优异的性能，适用于多种应用领域和模块。### 详细参数
2024-06-17 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号
