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型号：SQD<b class='flag-s-7'>40P10-40</b>L-GE3-VB 品牌：微碧

型号： SQD40P10-40L-GE3-VB丝印： VBE2104N品牌： VBsemi参数： P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36m

2023-12-13 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>40P40</b>K-VB 品牌：微碧

型号  NCE40P40K-VB丝印  VBE2412品牌  VBsemi详细参数说明   P沟道 额定电压  

2023-11-20 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>30P</b>06-VB 品牌：微碧

参数说明- **型号**: 30P06-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单 P 型通道- **漏源电压 (VDS)**: -60V- **栅源

2024-11-04 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：UTT<b class='flag-s-7'>30P</b>04L-TN3-R-VB 品牌：微碧

### 产品简介UTT30P04L-TN3-R-VB是VBsemi推出的P-Channel沟道MOSFET，具有-40V的漏极-源极电压承受能力和-65A的漏极电流承受能力。其低导通电阻(RDS

2024-06-17 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>30P</b>10GI-VB 品牌：微碧

用。### AP30P10GI-VB 参数说明- **封装类型**：TO220F- **配置**：单P-通道- **漏源极电压 (VDS)**：-100V- **栅极电压

2024-12-17 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号